LED發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性,即正向導通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區注入P區,空穴由P區注入N區。進(jìn)入對方區域的少數載流子(少子)一部分與多數載流子(多子)復合而發(fā)光。
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LED燈封裝方式:1、引腳式(Lamp)LED封裝,2、表面組裝(貼片)式(SMT-LED)封裝,3、板上芯片直裝式(COB)LED封裝,4、系統封裝式(SiP)LED封裝5.晶片鍵合和芯片鍵合。
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